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  • Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN

    IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :AS4C4M16SA-6TIN
  • Fabricant :Alliance Memory
  • Numéro de pièce Dasenic :AS4C4M16SA-6TIN-DS
  • Fiche de données :pdf download AS4C4M16SA-6TIN Fiche de données
  • Description : IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 1.539Total : $ 1.54
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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En stock: 9600
( MOQ : 1 PCS )
Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
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100 +$ 1.5390$ 153.90
250 +$ 1.5390$ 384.75
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Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
テクノロジー:SDRAM
サプライヤーデバイスパッケージ:54-TSOP II
メモリサイズ:64Mb (4M x 16)
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
クロック周波数:166 MHz
アクセス時間:5.4 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:2ns
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.32.0002
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Alliance Memory AS4C4M16SA-6TIN
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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