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  • EPC EPC2021ENGR

    TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :EPC2021ENGR
  • Fabricant :EPC
  • Numéro de pièce Dasenic :EPC2021ENGR-DS
  • Fiche de données :pdf download EPC2021ENGR Fiche de données
  • Description : TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
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EPC EPC2021ENGR Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:Die
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:Die
消費電力(最大):-
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 14mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:15 nC @ 5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1700 pF @ 40 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):5V
Vgs (最大):+6V, -4V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0040
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
EPC EPC2021ENGR
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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