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EPC Space EPC7014UBC

En stock: 1584
MOQ: 1
2 Niveaux de prix
  • Numéro de pièce du fabricant :EPC7014UBC
  • Fabricant :EPC Space
  • Numéro de pièce Dasenic :EPC7014UBC-DS
  • Fiche de données : EPC7014UBC Fiche de données PDF
  • Description : GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
  • Emballer :-
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EPC Space EPC7014UBC Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:4-SMD, No Lead
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquet d'appareils du fournisseur:4-SMD
Dissipation de puissance (max.):-
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):60 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:1A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) ( Max) à Id:2.5V @ 140µA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:-
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:22 pF @ 30 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):5V
Vgs ( Max):+7V, -4V
Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
HTS US:0000.00.0000
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Notes et avis
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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