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GaNPower GPI65010DF56

En stock: 2586
MOQ: 1
1 Niveaux de prix
  • Numéro de pièce du fabricant :GPI65010DF56
  • Fabricant :GaNPower
  • Numéro de pièce Dasenic :GPI65010DF56-DS
  • Fiche de données : GPI65010DF56 Fiche de données PDF
  • Description : GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
  • Emballer :-
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GaNPower GPI65010DF56 Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:Die
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquet d'appareils du fournisseur:Die
Dissipation de puissance (max.):-
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):650 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:10A
Rds activé (max) à Id, Vgs:-
Vgs(th) ( Max) à Id:1.4V @ 3.5mA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:2.6 nC @ 6 V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:90 pF @ 400 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):6V
Vgs ( Max):+7.5V, -12V
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Cote MSL:Vendor omitted MSL Rating information
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.29.0095
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65010DF56 fourni par GaNPower

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Notes et avis
Great Product

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Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

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