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General Electric GE17042BCA3

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General Electric GE17042BCA3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Paquet / Coffret:Module
Puissance - Max:1250W
Paquet d'appareils du fournisseur:-
Type de transistor à effet de champ:2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité F E T:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source ( Vdss):1700V (1.7kV)
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:425A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:4.45mOhm @ 425A, 20V
Vgs(th) ( Max) à Id:4.5V @ 160mA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:18V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:29100pF @ 900V
EU Statut RoHS:The vendor has not updated RoHS info
Statut REACH:REACH is not defined
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.29.0095
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Notes et avis
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

Good Experience

Sarah M.

Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!

Satisfied

Mike R.

Accurate product description and arrived earlier than expected.

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