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  • GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J

    SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :G2R1000MT17J
  • Fabricant :GeneSiC Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :G2R1000MT17J-DS
  • Fiche de données :pdf download G2R1000MT17J Fiche de données
  • Description : SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 3.699Total : $ 3.70
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
  • Livraison :
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En stock: 12634
( MOQ : 1 PCS )
Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
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10 +$ 3.6990$ 36.99
25 +$ 3.6990$ 92.48
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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
消費電力(最大):54W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:139 pF @ 1000 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):20V
Vgs (最大):+20V, -10V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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