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GeneSiC Semiconductor GBJ30G

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GeneSiC Semiconductor GBJ30G Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:4-SIP, GBJ
Technologie:Standard
Paquet d'appareils du fournisseur:GBJ
Type de diode:Single Phase
Tension - crête inverse (max.):400 V
Courant - Moyen Rectifié ( Io):30 A
Tension - Direct ( Vf) ( Max) @ If:1.05 V @ 15 A
Courant - Fuite inverse @ Vr:5 µA @ 400 V
Numéro de produit de base:GBJ30
Conditionnement:Bulk
EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.10.0080
Statut REACH:REACH is not affected
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ30G fourni par GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium (SiC). Les principaux fabricants mondiaux dépendent de la technologie de GeneSiC pour améliorer les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC fonctionnent plus froid, plus rapidement et de manière plus économique et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. GeneSiC détient des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite, un marché qui devrait atteindre plus de 5 milliards de dollars d'ici 2025. Nos principaux atouts en matière de conception, de processus et de technologie ajoutent davantage de valeur au produit final de nos clients, avec des mesures de performance et de coût établissant de nouvelles normes dans l'industrie du carbure de silicium. En août 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq : NVTS) a annoncé l'acquisition de GeneSiC Semiconductor.

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Notes et avis
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

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Sarah M.

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Mike R.

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