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Global Power Technology-GPT G3S06504C
- Numéro de pièce du fabricant :G3S06504C
- Fabricant :Global Power Technology-GPT
- Numéro de pièce Dasenic :G3S06504C-DS
- Fiche de données : G3S06504C Fiche de données
- Description : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
- Emballer :-
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- Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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Global Power Technology-GPT G3S06504C Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Statut du produit:Active
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-252
Vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
Courant - Moyen Rectifié ( Io):11.5A (DC)
Tension - Direct ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 4 A
Courant - Fuite inverse @ Vr:50 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F:181pF @ 0V, 1MHz
Tension - D C inverse ( Vr) ( Max):650 V
Temps de récupération inverse (trr):0 ns
Température de fonctionnement - Jonction:-55°C ~ 175°C
Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Statut REACH:REACH info available upon request
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.10.0080
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Global Power Technology-GPT G3S06504C
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) est l'un des pionniers de l'industrialisation des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) en Chine. Connu comme le premier fabricant de dispositifs de puissance SiC en Chine, GPT possède une usine complète de semi-conducteurs située à Pékin. La ligne de production est compatible avec la fabrication de plaquettes de 4/6 pouces. En tant que toute première société nationale de services de plate-forme de recherche et développement et de production de dispositifs SiC, la ligne de production de GPT couvre les produits de technologie de base, les produits de moulage SIC et de multiples solutions industrielles. Les principaux produits de la société sont représentés par les diodes Schottky SiC. Une série de produits de diodes Schottky en carbure de silicium ont été mis en production de masse, la qualité des produits peut être comparée au niveau avancé de la même industrie dans le monde.
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