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Global Power Technology-GPT G5S12020B

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Global Power Technology-GPT G5S12020B Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Statut du produit:Active
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:TO-247-3
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-247AB
Vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
Type de diode:Silicon Carbide Schottky
Tension - Direct ( Vf) ( Max) @ If:1.7 V @ 10 A
Courant - Fuite inverse @ Vr:50 µA @ 1200 V
Configuration des diodes:1 Pair Common Cathode
Tension - D C inverse ( Vr) ( Max):1200 V
Courant - Moyen redressé ( Io) (par diode):33A (DC)
Temps de récupération inverse (trr):0 ns
Température de fonctionnement - Jonction:-55°C ~ 175°C
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S12020B fourni par Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) est l'un des pionniers de l'industrialisation des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) en Chine. Connu comme le premier fabricant de dispositifs de puissance SiC en Chine, GPT possède une usine complète de semi-conducteurs située à Pékin. La ligne de production est compatible avec la fabrication de plaquettes de 4/6 pouces. En tant que toute première société nationale de services de plate-forme de recherche et développement et de production de dispositifs SiC, la ligne de production de GPT couvre les produits de technologie de base, les produits de moulage SIC et de multiples solutions industrielles. Les principaux produits de la société sont représentés par les diodes Schottky SiC. Une série de produits de diodes Schottky en carbure de silicium ont été mis en production de masse, la qualité des produits peut être comparée au niveau avancé de la même industrie dans le monde.

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Notes et avis
Great Product

John D.

Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!

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Sarah M.

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