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Inventchip IV1D06006O2

En stock: 1632

MOQ: 1

8 Niveaux de prix

Numéro de pièce du fabricant :IV1D06006O2
Fabricant :Inventchip
Numéro de pièce Dasenic :IV1D06006O2-DS
Fiche de données : IV1D06006O2 Fiche de données PDF
Description : SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2
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PRIX UNITAIRE: $1.7730
Total: $1.77

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2-50	$0.8507	52.0% Enregistrer
51-100	$0.7611	57.1% Enregistrer
101-500	$0.6040	65.9% Enregistrer
501-1000	$0.5534	68.8% Enregistrer
1001-2000	$0.5109	71.2% Enregistrer
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5001-10000	$0.4613	74.0% Enregistrer

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Inventchip IV1D06006O2 Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

Statut du produit:Active

Type de montage:Through Hole

Paquet / Coffret:TO-220-2

Paquet d'appareils du fournisseur:TO-220-2

Vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)

Type de diode:Silicon Carbide Schottky

Courant - Moyen Rectifié ( Io):17.4A (DC)

Tension - Direct ( Vf) ( Max) @ If:1.65 V @ 6 A

Courant - Fuite inverse @ Vr:10 µA @ 650 V

Capacité à Vr, F:212pF @ 1V, 1MHz

Tension - D C inverse ( Vr) ( Max):650 V

Temps de récupération inverse (trr):0 ns

Température de fonctionnement - Jonction:-55°C ~ 175°C

EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant

Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

ECCN américain:EAR99

HTS US:8541.10.0080

Statut REACH:REACH is not affected

Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

IV1D06006O2 fourni par Inventchip

InventChip Technology Co., Ltd. est une société de semi-conducteurs de haute technologie, axée sur le développement de dispositifs d'alimentation en carbure de silicium et de produits de circuits intégrés de commande/pilotage. Elle a été fondée en 2017 et est située à Shanghai, en Chine. Inventchip fournit des solutions de conversion de puissance centrées sur les dispositifs d'alimentation SiC, les puces de commande SiC et les modules SiC adaptés à l'énergie éolienne, au photovoltaïque, aux alimentations industrielles, aux véhicules à énergie nouvelle, aux entraînements de moteurs, aux piles de charge et à d'autres domaines. Inventchip a initié la recherche et le développement de MOSFET SiC de 6 pouces dès sa création. Après trois ans de R&D intensive, elle est devenue la première entreprise en Chine à maîtriser les processus MOSFET et SBD SiC de 6 pouces, ainsi que les puces de commande MOSFET SiC. Inventchip s'engage à développer des dispositifs d'alimentation et des produits IC SiC de haute qualité et rentables, dédiés à la miniaturisation de la taille des systèmes finaux, à la réduction du poids et à l'amélioration de l'efficacité, et à fournir des solutions de semi-conducteurs complètes et clés en main.