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  • IXYS IXTA3N100D2

    MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :IXTA3N100D2
  • Fabricant :IXYS
  • Numéro de pièce Dasenic :IXTA3N100D2-DS
  • Fiche de données :pdf download IXTA3N100D2 Fiche de données
  • Description : MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 5.85Total : $ 5.85
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  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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IXYS IXTA3N100D2 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
消費電力(最大):125W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:Depletion Mode
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37.5 nC @ 5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1020 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTA3N100D2
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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