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  • IXYS IXYX100N120B3

    IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :IXYX100N120B3
  • Fabricant :IXYS
  • Numéro de pièce Dasenic :IXYX100N120B3-DS
  • Fiche de données :pdf download IXYX100N120B3 Fiche de données
  • Description : IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 16.578Total : $ 16.58
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  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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IXYS IXYX100N120B3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3 Variant
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:1150 W
サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS247™-3
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):225 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 15V, 100A
電流 - コレクタパルス ( Icm):530 A
エネルギーの切り替え:7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
ゲートチャージ:250 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:30ns/153ns
テスト条件:600V, 100A, 1Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXYX100N120B3
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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