Tagore Technology TP44200NM

Tagore Technology a été fondée en janvier 2011 pour lancer la technologie des semi-conducteurs au nitrure de gallium sur silicium (GaN sur Si) pour les applications de radiofréquence (RF) et de gestion de l'énergie. Nos technologies et dispositifs propriétaires avancés réduisent considérablement la complexité, la taille, le poids et la consommation d'énergie des solutions système à un prix agressif, offrant un facteur de mérite de conversion de puissance considérablement amélioré par rapport aux solutions au silicium. Nous sommes une entreprise de semi-conducteurs sans usine avec des centres de conception à Arlington Heights, dans l'Illinois, aux États-Unis et à Kolkata, en Inde. Notre équipe de R&D se consacre au développement de solutions disruptives exploitant des technologies à large bande interdite qui aident à relever les défis de conception RF et d'alimentation pour nos clients et à accélérer la mise sur le marché d'une large gamme d'applications allant de l'infrastructure cellulaire 5G au grand public, à l'automobile, à la défense et à la sécurité. Nous travaillons en partenariat avec des fonderies et des assemblages de semi-conducteurs de premier plan pour fournir des produits offrant une qualité supérieure et une fiabilité élevée éprouvée.