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  • Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR RLG

    DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :TSM300NB06DCR RLG
  • Fabricant :Taiwan Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :TSM300NB06DCR RLG-DS
  • Fiche de données :pdf download TSM300NB06DCR RLG Fiche de données
  • Description : DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 0.6982Total : $ 0.70
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2500 +$ 0.3879$ 969.75
5000 +$ 0.3694$ 1847.00
12500 +$ 0.3524$ 4405.00
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Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR RLG Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
パワー - 最大:2W (Ta), 40W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-PDFN (5x6)
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Ta), 25A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1079pF @ 30V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR RLG
1979 年に設立された台湾セミコンダクターは、地元の製造業者として始まり、1,500 人の従業員を擁するグローバル企業に成長しました。同社は台湾証券取引所に上場しています。台湾セミコンダクターは、ディスクリート パワー整流器のコア コンピタンスとして 40 年以上にわたり認められており、トレンチ ショットキー、MOSFET、パワー トランジスタ、LED ドライバ IC、アナログ IC、ESD 保護デバイスを含む製品ポートフォリオを拡大し、現在ではワンストップで完全なソリューションを提供しています。これらの製品は、自動車、コンピューター、消費者、産業、通信、太陽光発電など、エレクトロニクス業界のさまざまなアプリケーションで使用されています。台湾セミコンダクターの中国と台湾の生産施設は、現在の自動車および環境基準に完全に準拠しています。世界 13 か所に営業所があり、アジア、ヨーロッパ、アメリカのお客様に便利にサービスを提供しています。
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