Les images sont fournies à titre indicatif.

Share

1 : $11.9250

La première inscription avec des commandes supérieures à 2 000 $ reçoit un coupon de 100 $. S'inscrire maintenant !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Transphorm TP65H050WS

    GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :TP65H050WS
  • Fabricant :Transphorm
  • Numéro de pièce Dasenic :TP65H050WS-DS
  • Fiche de données :pdf download TP65H050WS Fiche de données
  • Description : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 11.925Total : $ 11.93
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
  • Livraison :
    dhlupsfedex
  • Paiement :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1729
( MOQ : 1 PCS )
Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
QuantitéPrix ​​unitaireTotal
1 +$ 11.9250$ 11.93
30 +$ 9.3714$ 281.14

Demander un devis

Vous aide à économiser du temps et de l'argent.

Contrôle qualité strict et emballage fiable des produits.

Livraison rapide et fiable qui vous fait gagner du temps.

Nous fournissons un service après-vente avec garantie de 365 jours.

Transphorm TP65H050WS Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力(最大):119W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):12V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm Recommandations de produits associés

Nous répondons rapidement aux demandes des clients en matière de pièces électroniques, même si les pièces sont rares sur le marché.

Notes et avis

Notes

Veuillez noter le produit !

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

  • RFQ