PN Junction Semiconductor

PN Junction Semiconductor a été créée en septembre 2018 en tant que marque leader dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance de troisième génération en Chine. Les principaux produits de la société sont les MOSFET en carbure de silicium de qualité automobile, les SBD en carbure de silicium et les dispositifs de puissance en nitrure de gallium. La société possède le catalogue le plus complet de dispositifs de puissance en carbure de silicium en Chine, avec des MOSFET et des SBD en carbure de silicium couvrant divers niveaux de tension et capacités de transport de courant, qui ont tous passé les tests et la certification AEC-Q101, et peuvent répondre à divers scénarios d'application des clients. Le Dr Huang Xing, fondateur de PN Junction Semiconductor, est profondément impliqué dans la conception et le développement de dispositifs de puissance en carbure de silicium et en nitrure de gallium depuis 2009, et a étudié sous la direction du professeur B. Jayant Baliga, l'inventeur de l'IGBT, et du professeur Alex Huang, l'inventeur du thyristor. Actuellement, PN Junction Semiconductor a commercialisé plus de 100 modèles différents de diodes en carbure de silicium, de MOSFET en carbure de silicium, de modules d'alimentation en carbure de silicium et de produits GaN HEMT sur les plateformes de tension 650 V, 1 200 V et 1 700 V. Les produits fabriqués en série ont été largement utilisés dans les véhicules électriques, les alimentations électriques des équipements informatiques, les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d'énergie, les applications industrielles et d'autres domaines, fournissant un approvisionnement continu et stable aux fabricants de niveau 1.