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  • GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263

    TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :GA20JT12-263
  • Fabricant :GeneSiC Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :GA20JT12-263-DS
  • Fiche de données :pdf download GA20JT12-263 Fiche de données
  • Description : TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 67.35Total : $ 67.35
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-263-7
Dissipation de puissance (max.):282W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:-
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):1200 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:45A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:60mOhm @ 20A
Vgs(th) ( Max) à Id:-
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:-
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:3091 pF @ 800 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):-
Vgs ( Max):-
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium (SiC). Les principaux fabricants mondiaux dépendent de la technologie de GeneSiC pour améliorer les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC fonctionnent plus froid, plus rapidement et de manière plus économique et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. GeneSiC détient des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite, un marché qui devrait atteindre plus de 5 milliards de dollars d'ici 2025. Nos principaux atouts en matière de conception, de processus et de technologie ajoutent davantage de valeur au produit final de nos clients, avec des mesures de performance et de coût établissant de nouvelles normes dans l'industrie du carbure de silicium. En août 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq : NVTS) a annoncé l'acquisition de GeneSiC Semiconductor.
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