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  • GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247

    TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :GA50JT12-247
  • Fabricant :GeneSiC Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :GA50JT12-247-DS
  • Fiche de données :pdf download GA50JT12-247 Fiche de données
  • Description : TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 159.7Total : $ 159.70
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GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Obsolete
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:TO-247-3
Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-247AB
Dissipation de puissance (max.):583W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:-
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):1200 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:100A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:25mOhm @ 50A
Vgs(th) ( Max) à Id:-
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:-
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:7209 pF @ 800 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):-
Vgs ( Max):-
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:Vendor is not defined
ECCN américain:Provided as per user requirements
Statut RoHS en Chine:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247
GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium (SiC). Les principaux fabricants mondiaux dépendent de la technologie de GeneSiC pour améliorer les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC fonctionnent plus froid, plus rapidement et de manière plus économique et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. GeneSiC détient des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite, un marché qui devrait atteindre plus de 5 milliards de dollars d'ici 2025. Nos principaux atouts en matière de conception, de processus et de technologie ajoutent davantage de valeur au produit final de nos clients, avec des mesures de performance et de coût établissant de nouvelles normes dans l'industrie du carbure de silicium. En août 2022, Navitas Semiconductor (Nasdaq : NVTS) a annoncé l'acquisition de GeneSiC Semiconductor.
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