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Goford Semiconductor G06NP06S2

Name: G06NP06S2
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G06NP06S2-DS
Price: 0.3548 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 22052

MOQ: 1

4 Niveaux de prix

Numéro de pièce du fabricant :G06NP06S2
Fabricant :Goford Semiconductor
Numéro de pièce Dasenic :G06NP06S2-DS
Fiche de données : G06NP06S2 Fiche de données PDF
Description : N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
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Goford Semiconductor G06NP06S2 Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Statut du produit:Active

Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage:Surface Mount

Paquet / Coffret:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max:2W (Tc), 2.5W (Tc)

Paquet d'appareils du fournisseur:8-SOP

Type de transistor à effet de champ:N and P-Channel

Fonctionnalité F E T:Standard

Tension drain-source ( Vdss):60V

Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:6A (Tc)

Rds activé (max) à Id, Vgs:35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) ( Max) à Id:2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:22nC @ 10V, 25nC @ 10V

Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:-

EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant

Cote MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Statut REACH:REACH Unaffected

ECCN américain:EAR99

HTS US:8541.29.0095

Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G06NP06S2 fourni par Goford Semiconductor

Depuis sa création en 1995, Goford Semiconductor est devenue une entreprise mondiale avec des bureaux aux États-Unis, à Hong Kong, en Australie, à Shenzhen et au Jiangsu. Nous nous consacrons toujours à la recherche et au développement et à la vente de produits Mosfet de puissance. Nous nous concentrons sur l'efficacité énergétique, la mobilité et la fiabilité pour fournir des produits rentables au marché.