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Goford Semiconductor G33N03D3

Name: G33N03D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: G33N03D3-DS
Price: 0.4606 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

En stock: 8566

MOQ: 1

4 Niveaux de prix

Numéro de pièce du fabricant :G33N03D3
Fabricant :Goford Semiconductor
Numéro de pièce Dasenic :G33N03D3-DS
Fiche de données : G33N03D3 Fiche de données PDF
Description : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
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Goford Semiconductor G33N03D3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.

Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Statut du produit:Active

Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage:Surface Mount

Paquet / Coffret:8-PowerVDFN

Puissance - Max:20W (Tc)

Paquet d'appareils du fournisseur:8-DFN (3x3)

Type de transistor à effet de champ:2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité F E T:Standard

Tension drain-source ( Vdss):30V

Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:33A (Tc)

Rds activé (max) à Id, Vgs:12mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) ( Max) à Id:1.1V @ 250µA

Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:17.5nC @ 10V

Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:1938pF @ 15V

EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant

Cote MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)

Statut REACH:REACH Unaffected

ECCN américain:EAR99

HTS US:8541.29.0095

Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G33N03D3 fourni par Goford Semiconductor

Depuis sa création en 1995, Goford Semiconductor est devenue une entreprise mondiale avec des bureaux aux États-Unis, à Hong Kong, en Australie, à Shenzhen et au Jiangsu. Nous nous consacrons toujours à la recherche et au développement et à la vente de produits Mosfet de puissance. Nous nous concentrons sur l'efficacité énergétique, la mobilité et la fiabilité pour fournir des produits rentables au marché.