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  • Goford Semiconductor G33N03D3

    N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :G33N03D3
  • Fabricant :Goford Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :G33N03D3-DS
  • Fiche de données :pdf download G33N03D3 Fiche de données
  • Description : N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
  • Emballer :-
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Goford Semiconductor G33N03D3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:8-PowerVDFN
Puissance - Max:20W (Tc)
Paquet d'appareils du fournisseur:8-DFN (3x3)
Type de transistor à effet de champ:2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité F E T:Standard
Tension drain-source ( Vdss):30V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:33A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:12mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) ( Max) à Id:1.1V @ 250µA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:17.5nC @ 10V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:1938pF @ 15V
EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant
Cote MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
Statut REACH:REACH Unaffected
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.29.0095
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G33N03D3
Depuis sa création en 1995, Goford Semiconductor est devenue une entreprise mondiale avec des bureaux aux États-Unis, à Hong Kong, en Australie, à Shenzhen et au Jiangsu. Nous nous consacrons toujours à la recherche et au développement et à la vente de produits Mosfet de puissance. Nous nous concentrons sur l'efficacité énergétique, la mobilité et la fiabilité pour fournir des produits rentables au marché.
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