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  • Inventchip IV1Q12050T4

    SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :IV1Q12050T4
  • Fabricant :Inventchip
  • Numéro de pièce Dasenic :IV1Q12050T4-DS
  • Fiche de données :pdf download IV1Q12050T4 Fiche de données
  • Description : SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
  • Emballer :-
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  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
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Inventchip IV1Q12050T4 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-4
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
消費電力(最大):344W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:58A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.2V @ 6mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:120 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2750 pF @ 800 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):20V
Vgs (最大):+20V, -5V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1Q12050T4
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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