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IXYS IXTA1N200P3HV-TRL
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
- Numéro de pièce du fabricant :IXTA1N200P3HV-TRL
- Fabricant :IXYS
- Numéro de pièce Dasenic :IXTA1N200P3HV-TRL-DS
- Fiche de données :
IXTA1N200P3HV-TRL Fiche de données - Description : MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
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IXYS IXTA1N200P3HV-TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Obsolete
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Paquet / Coffret:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-263HV
Dissipation de puissance (max.):125W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):2000 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:1A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) ( Max) à Id:4V @ 250µA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:23.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:646 pF @ 25 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):10V
Vgs ( Max):±20V
EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant
Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.29.0095
Statut REACH:Vendor is not defined
Statut RoHS en Chine:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXTA1N200P3HV-TRL
Depuis sa création dans la Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ : IXYS) est un pionnier mondial dans le développement de semi-conducteurs de puissance, de relais statiques, de circuits intégrés haute tension et de microcontrôleurs. Avec une base de clients finaux de plus de 3 500 personnes dans les secteurs de l'industrie, de l'automobile, des communications, de la consommation, de la médecine et des transports, IXYS est un fournisseur de semi-conducteurs avancés reconnu dans le monde entier. IXYS se concentre sur diverses technologies de semi-conducteurs, notamment les MOSFET de puissance, les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée), les redresseurs, les thyristors, les diodes et d'autres solutions de semi-conducteurs discrètes et intégrées. La société fabrique également des circuits intégrés analogiques et à signaux mixtes, des amplificateurs de puissance RF et des circuits intégrés de gestion de l'alimentation. En janvier 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ : LFUS) a finalisé l'acquisition d'IXYS Corporation et IXYS a été radiée du NASDAQ.
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