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  • IXYS MDA950-12N1W

    DIODE MODULE 1.2KV 950A
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :MDA950-12N1W
  • Fabricant :IXYS
  • Numéro de pièce Dasenic :MDA950-12N1W-DS
  • Fiche de données :pdf download MDA950-12N1W Fiche de données
  • Description : DIODE MODULE 1.2KV 950A
  • Emballer :-
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IXYS MDA950-12N1W Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:880 mV @ 500 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 mA @ 1200 V
ダイオード構成:1 Pair Common Anode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):950A
逆回復時間 (trr):18 µs
動作温度 - 接合部:-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS MDA950-12N1W
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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