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  • PN Junction Semiconductor P3M12080K3

    SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :P3M12080K3
  • Fabricant :PN Junction Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :P3M12080K3-DS
  • Fiche de données :pdf download P3M12080K3 Fiche de données
  • Description : SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 10.71Total : $ 10.71
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
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En stock: 1648
( MOQ : 1 PCS )
Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
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11 +$ 10.1749$ 111.92
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PN Junction Semiconductor P3M12080K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3L
消費電力(最大):221W
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:47A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:96mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 5mA (Typ)
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
Vgs (最大):+21V, -8V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PN Junction Semiconductor P3M12080K3
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
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