Les images sont fournies à titre indicatif.
1 : $29.4120
La première inscription avec des commandes supérieures à 2 000 $ reçoit un coupon de 100 $. S'inscrire maintenant !
SemiQ GSXD080A004S1-D3
DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
- Numéro de pièce du fabricant :GSXD080A004S1-D3
- Fabricant :SemiQ
- Numéro de pièce Dasenic :GSXD080A004S1-D3-DS
- Fiche de données :
GSXD080A004S1-D3 Fiche de données - Description : DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
- Emballer :-
- Quantité :Prix unitaire : $ 29.412Total : $ 29.41
- Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
- Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
- Livraison :
- Paiement :
En stock: 1536
( MOQ : 1 PCS )Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
| Quantité | Prix unitaire | Total |
| 1 + | $ 29.4120 | $ 29.41 |
| 13 + | $ 21.9032 | $ 284.74 |
| 104 + | $ 29.4120 | $ 3058.85 |
Demander un devis
Vous aide à économiser du temps et de l'argent.
Contrôle qualité strict et emballage fiable des produits.
Livraison rapide et fiable qui vous fait gagner du temps.
Nous fournissons un service après-vente avec garantie de 365 jours.
SemiQ GSXD080A004S1-D3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Statut du produit:Active
Type de montage:Chassis Mount
Paquet / Coffret:SOT-227-4, miniBLOC
Paquet d'appareils du fournisseur:SOT-227
Vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de diode:Schottky
Tension - Direct ( Vf) ( Max) @ If:700 mV @ 80 A
Courant - Fuite inverse @ Vr:1 mA @ 45 V
Configuration des diodes:2 Independent
Tension - D C inverse ( Vr) ( Max):45 V
Courant - Moyen redressé ( Io) (par diode):80A
Temps de récupération inverse (trr):-
Température de fonctionnement - Jonction:-40°C ~ 150°C
EU Statut RoHS:ROHS3 Compliant
Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Statut REACH:REACH Affected
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.10.0080
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GSXD080A004S1-D3
SemiQ Inc. est un développeur et fabricant basé aux États-Unis de dispositifs et matériaux semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC), notamment : diodes MPS de puissance SiC, modules SiC, MOSFET de puissance SiC, modules personnalisés SiC, matrices nues SiC, plaquettes Epi de type N personnalisées SiC, etc. SemiQ est une entreprise privée détenue en partie par ses employés. SemiQ (anciennement connu sous le nom de Global Power Technologies Group) a commencé à développer des technologies en carbure de silicium en 2012 à son siège social en Californie du Sud, où elle développe également Epi et conçoit des appareils. Récemment, SemiQ a sorti ses diodes Schottky SiC Gen 3 (type Schottky Merged PiN) qui incluaient des améliorations en termes de courant de surtension, de résistance à l'humidité et de robustesse et de solidité globales. Les produits SemiQ sont utilisés dans les systèmes de charge de véhicules électriques, le chauffage par induction, les alimentations électriques, la production d'énergie par pile à combustible et les onduleurs solaires du monde entier. De plus, SemiQ propose une expertise en matière d'applications de conversion de puissance et possède une vaste expérience dans la conception d'onduleurs de 3,3 kW, 6,6 kW et plus. Les installations de fabrication et d'ingénierie de SemiQ sont situées à Lake Forest, en Californie. L'entreprise dispose d'une chaîne d'approvisionnement en SiC entièrement redondante.
SemiQ Recommandations de produits associés
Nous répondons rapidement aux demandes des clients en matière de pièces électroniques, même si les pièces sont rares sur le marché.
GSXD080A004S1-D3 Produits similaires
Notes et avis
Notes
Veuillez noter le produit !
Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.
