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Transphorm TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
- Numéro de pièce du fabricant :TP65H050G4WS
- Fabricant :Transphorm
- Numéro de pièce Dasenic :TP65H050G4WS-DS
- Fiche de données :
TP65H050G4WS Fiche de données - Description : 650 V 34 A GAN FET
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| Quantité | Prix unitaire | Total |
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Transphorm TP65H050G4WS Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:TO-247-3
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-247-3
Dissipation de puissance (max.):119W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):650 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:34A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) ( Max) à Id:4.8V @ 700µA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:1000 pF @ 400 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):10V
Vgs ( Max):±20V
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050G4WS
Fondée en 2007, Transphorm est une société mondiale de semi-conducteurs, leader de la révolution GaN avec les dispositifs GaN les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance haute tension. Pour garantir cela, Transphorm déploie son approche commerciale unique intégrée verticalement qui s'appuie sur l'équipe d'ingénierie GaN la plus expérimentée du secteur à chaque étape du développement : conception, fabrication, support des appareils et des applications. Cette approche, soutenue par l'un des plus grands portefeuilles de propriété intellectuelle du secteur avec plus de 1 000 brevets, a donné naissance aux seuls FET GaN qualifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Les innovations de Transphorm repoussent les limites de l'électronique de puissance au-delà du silicium pour atteindre une efficacité de plus de 99 %, une densité de puissance supérieure de 40 % et un coût système inférieur de 20 %. Voici comment nous y parvenons.
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