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Transphorm TP90H180PS
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
- Numéro de pièce du fabricant :TP90H180PS
- Fabricant :Transphorm
- Numéro de pièce Dasenic :TP90H180PS-DS
- Fiche de données :
TP90H180PS Fiche de données - Description : GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
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Transphorm TP90H180PS Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Obsolete
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:TO-220-3
Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-220AB
Dissipation de puissance (max.):78W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):900 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:15A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:205mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) ( Max) à Id:2.6V @ 500µA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:10 nC @ 8 V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:780 pF @ 600 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):10V
Vgs ( Max):±18V
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Cote MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN américain:EAR99
HTS US:8541.29.0095
Statut REACH:Vendor is not defined
Statut RoHS en Chine:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Transphorm TP90H180PS
Fondée en 2007, Transphorm est une société mondiale de semi-conducteurs, leader de la révolution GaN avec les dispositifs GaN les plus performants et les plus fiables pour les applications de conversion de puissance haute tension. Pour garantir cela, Transphorm déploie son approche commerciale unique intégrée verticalement qui s'appuie sur l'équipe d'ingénierie GaN la plus expérimentée du secteur à chaque étape du développement : conception, fabrication, support des appareils et des applications. Cette approche, soutenue par l'un des plus grands portefeuilles de propriété intellectuelle du secteur avec plus de 1 000 brevets, a donné naissance aux seuls FET GaN qualifiés JEDEC et AEC-Q101 du secteur. Les innovations de Transphorm repoussent les limites de l'électronique de puissance au-delà du silicium pour atteindre une efficacité de plus de 99 %, une densité de puissance supérieure de 40 % et un coût système inférieur de 20 %. Voici comment nous y parvenons.
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