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  • UnitedSiC UF3SC120016K4S

    SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :UF3SC120016K4S
  • Fabricant :UnitedSiC
  • Numéro de pièce Dasenic :UF3SC120016K4S-DS
  • Fiche de données :pdf download UF3SC120016K4S Fiche de données
  • Description : SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 36.936Total : $ 36.94
  • Délai de livraison :Expédié sous 48 heures
  • Origine de l'expédition :Entrepôt de Shenzhen ou de Hong Kong
  • Livraison :
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  • Paiement :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 3321
( MOQ : 1 PCS )
Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
QuantitéPrix ​​unitaireTotal
1 +$ 36.9360$ 36.94
25 +$ 36.9360$ 923.40
50 +$ 36.9360$ 1846.80
100 +$ 36.9360$ 3693.60
250 +$ 36.9360$ 9234.00

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UnitedSiC UF3SC120016K4S Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-4
テクノロジー:SiCFET (Cascode SiCJFET)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
消費電力(最大):517W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:107A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:21mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:218 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:7824 pF @ 800 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):12V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UnitedSiC UF3SC120016K4S
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品(IDP)事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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