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  • Vishay SI4778DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :SI4778DY-T1-E3
  • Fabricant :Vishay
  • Numéro de pièce Dasenic :SI4778DY-T1-E3-DS
  • Fiche de données :pdf download SI4778DY-T1-E3 Fiche de données
  • Description : MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
  • Emballer :-
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Vishay SI4778DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
消費電力(最大):2.4W (Ta), 5W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):25 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:680 pF @ 13 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
Vgs (最大):±16V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Vishay SI4778DY-T1-E3
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
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