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Wolfspeed C3M0040120D
1200V 40MOHM SIC MOSFET
- Numéro de pièce du fabricant :C3M0040120D
- Fabricant :Wolfspeed
- Numéro de pièce Dasenic :C3M0040120D-DS
- Fiche de données :
C3M0040120D Fiche de données
- Description : 1200V 40MOHM SIC MOSFET
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6000 + | $ 15.0399 | $ 90239.40 |
9000 + | $ 14.8896 | $ 134006.40 |
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Wolfspeed C3M0040120D Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Statut du produit:Active
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Paquet / Coffret:TO-247-3
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquet d'appareils du fournisseur:TO-247-3
Dissipation de puissance (max.):326W (Tc)
Type de transistor à effet de champ:N-Channel
Fonctionnalité F E T:-
Tension drain-source ( Vdss):1200 V
Courant - Consommation continue ( Id) à 25° C:66A (Tc)
Rds activé (max) à Id, Vgs:53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Vgs(th) ( Max) à Id:3.6V @ 9.5mA
Charge de porte ( Qg) ( Max) à Vgs:101 nC @ 15 V
Capacité d'entrée ( Ciss) ( Max) à Vds:2900 pF @ 1000 V
Tension de commande ( Rds max. activé, Rds min. activé):15V
Vgs ( Max):+15V, -4V
EU Statut RoHS:RoHS Compliant
Statut REACH:REACH is not affected
ECCN américain:EAR99
Statut RoHS en Chine:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed C3M0040120D
Wolfspeed est une société de semi-conducteurs de premier plan axée sur les technologies du carbure de silicium et du GaN. Nous menons la transformation du silicium vers le carbure de silicium (SiC) et le GaN alors que nous façonnons l'avenir des marchés des semi-conducteurs : la transition vers les véhicules électriques, le passage à des réseaux 5G plus rapides, l'évolution des énergies renouvelables et du stockage d'énergie, et l'avancement des applications industrielles. Après plus de 35 ans de développement de nouvelles technologies et de transformation, nos semi-conducteurs de puissance et de radiofréquence (RF) Wolfspeed® sont à la pointe de l'industrie grâce à une expertise et une capacité inégalées.
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