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  • Goford Semiconductor G110N06K

    N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
  • part number has RoHS
  • Numéro de pièce du fabricant :G110N06K
  • Fabricant :Goford Semiconductor
  • Numéro de pièce Dasenic :G110N06K-DS
  • Fiche de données :pdf download G110N06K Fiche de données
  • Description : N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
  • Emballer :-
  • Quantité :
    Prix ​​unitaire : $ 0.5864Total : $ 0.59
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Prix (USD) : * Tous les prix sont en USD
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2500 +$ 0.3258$ 814.50
15000 +$ 0.3006$ 4509.00
30000 +$ 0.2709$ 8127.00

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Goford Semiconductor G110N06K Spécifications techniques, attributs, paramètres.
Catégorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
消費電力(最大):160W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:110A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:113 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5538 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G110N06K
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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